SK海力士宣布HBM内存基础芯片个性化定制服务，SSD控制器将采用先进芯粒技术

9月4日消息，在举办的异质整合国际高峰论坛上，SK海力士的封装开发副社长李康旭（Lee Kang-wook）强调，HBM内存定制化的核心要素聚焦于基础芯片层面的创新。他指出，优化HBM内存的“客制化”进程，实质上依赖于对基础裸片技术的深入探索与精进。

李康旭表示，标准 HBM 内存和客户定制 HBM 内存采用同种 DRAM 裸片，但 Base Die 基础裸片存在差异。定制 HBM 内存的基础裸片中将包含客户选择的电路 IP，预计可提升芯片效率。

SK 海力士自 HBM4 世代起采用逻辑半导体工艺的 HBM 内存基础裸片。此外李康旭此番演讲的演示文稿显示，该企业在 HBM4 上将对基础裸片的称呼从 DRAM Base Die 调整为 Logic Base Die，也强调了基础裸片愈发重要的逻辑功能。

对于存储产品控制器导入 Chiplet 芯粒 / 小芯片设计传闻，李康旭则称未来相关产品确将采用 Chiplet 工艺，不仅是 HBM 内存控制器，固态硬盘的 SoC 主控也将应用这项技术。

演讲还提到，客户对 3D SIP（系统级封装）感兴趣，演示文稿中也展示了将 HBM 内存同处理器垂直堆叠的 HBM5 设计可能。

对于部分 AI 芯片创企在设计中放弃使用 HBM 内存，李康旭认为这主要仍取决于产品应用：

HBM 内存价格昂贵，部分公司转向非 HBM 解决方案，但 AI HPC 芯片产品仍需要 HBM 内存，不过的确存在非 HBM 内存也适合的应用场景。

SK海力士推进中国无锡半导体工厂转型，启用第四代10纳米工艺提升产能

据了解，韩国芯片制造巨头SK海力士正在考虑打破美国对华极紫外（EUV）光刻机出口相关限制，以提升其在中国的半导体工厂的技术水平。

SK海力士计划今年将其中国无锡工厂的部分DRAM生产设备提升至第四代10纳米工艺。然而，对于“无锡工厂将进行技术升级”的消息，SK海力士方面表示“无法确认工厂的具体运营计划”。

这一举动被视为，随着半导体市场的复苏以及中国高性能半导体制造能力的提升，一些韩国芯片企业正在采取一切可以使用的方法来提高在华工厂的制造工艺水平。

据了解，无锡工厂是SK海力士的核心生产基地，其产量约占公司DRAM总产量的40%。目前，无锡工厂正在生产两款较旧的10纳米DRAM。

报道认为，SK海力士对无锡工厂进行技术升级并不容易，因为自2019年以来，美国为阻止中国半导体产业崛起，单方面限制了制造尖端半导体必需的EUV光刻机出口中国。

尽管如此，随着全球半导体市场进入复苏阶段，SK海力士认为高性能芯片产能扩张已经刻不容缓，需要10纳米级第四代DRAM或更高版本产品来维持其市场份额。

媒体分析称，SK海力士的这一举动反映了全球半导体市场的变化和中国半导体产业的快速发展。在全球半导体市场复苏的背景下，中国半导体产业的提升无疑将为全球半导体产业的发展注入新的活力。